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在读取操作期间要记住的一件事是，段交单元电容器上的电荷会因读取操作而丢失。因此，易曲意读出放大器立即恢复(新写入)读取的数据。

指导选择晶体管的漏极通过单元电容器连接到板电极。沉沉DRAM数据传输速度的推移。外围电路、分时浮浮输入/输出焊盘和行解码器位于硅芯片中心的左侧和右侧，分时浮浮列解码器位于中心的上方和下方，存储单元阵列（子阵列）位于硅芯片的硅芯片中心的上方和下方。

段交这就是所谓的双数据速率（DDR）SDRAM。写入数据、易曲意各部分的互连（布线）等。

指导第一个是半导体逻辑中晶体管的三维化。

NAND闪存的小型化几乎已经停止，沉沉从2010年代后半段开始，DRAM将再次推动小型化。奇异摩尔坚信，分时浮浮在多方行业合作伙伴的共同努力下，Chiplet赛道会愈发成熟、繁荣。

魏教授表示，段交在AI训练中，通用性的芯片适用于多种场景，使用通用芯片训练大模型会带来明显的便利性。未来，易曲意一个Chiplet产品的落地，会涉及到多方的芯粒的整合，从而需要全产业链的开放与分工协作。

比如，指导Chiplet的结构会导致物理效应敏感，尤其是热方面。在片间和集群间层面，沉沉互联之于Chiplet，则如同网络之于电子设备。